Transistor Darlington power

 Artikel
loading...

Faktor amplifikasi base dari sebuah transistor agak rendah (biasanya 5-10 kali). Akibatnya sirkuit trigger transistor harus digerakkan oleh transistor pembantu untuk mengurangi magnitudo arus trigger base yang diperlukan dari sirkuit kontrol. Untuk melakukan ini, sambungan Darlington digunakan. Gambar dibawah menunjukkan sebuah sambungan Darlington rangkap, tetapi untuk aplikasi daya tinggi, dua transistor pembantu (triple Darlington) bisa digunakan dalam cascade untuk mencapai faktor amplifikasi yang 17 diperlukan. Faktor amplifikasi menyeluruh secara aproksimasi merupakan produk dari faktor-faktor amplifikasi dari dua (atau tiga) transistor.

Transistor Darlington power

Transistor, yang digunakan dalam aplikasi VSD, biasanya dipabrikasi sebagai satu integrated circuit dan dipadatkan ke dalam sebuah modul tiga terminal, bersaing dengan komponen-komponen perlu lainnya, seperti resistor dan dioda perlindungan anti paralel. Modul itu mempunyai sebuah base terisolasi yang cocok untuk pemasangan langsung ke heat sink. Tipe modul ini kadang dinamakan modul transistor Power Darlington.

Seperti ditunjukkan dalam Gambar diatas, dioda anti-paralel melindungi transistor dari bias terbalik (reverse-biasing). Dalam prakteknya, dioda ini adalah konstruksi terpadu lambat dan mungkin tidak cukup cepat untuk aplikasi inverter. Akibatnya, pabrikan konverter kadang menggunakan sebuah dioda cepat eksternal untuk melindungi transistor. BJT power tersedia untuk rating hingga maksimum sekitar 300 A dan 1400 V. Untuk VSD yang memerlukan rating power lebih tinggi, GTO biasanya digunakan dalam sirkuit inverter.

Author: 

No Responses

Comments are closed.