Pengoperasian Transistor

 Artikel, Elektro Dasar, Uncategorized

Pada gambar 9.3-a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis n-p-n. Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan (gambar 9.3-b). Sambungan emitor berpanjar maju, dengan efek dari tegangan panjar VEB terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas).

Pengoperasian transistor jenis n-p-n

Gambar 9.3 Pengoperasian transistor jenis n-p-n

Sambungan kolektor berpanjar mundur; sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar VCB akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Karena daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal, meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi).

Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti akan kita lihat, transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan.

Author: 

No Responses

Comments are closed.