Panjar Maju dan Panjar Mundur

 Artikel, Elektro Dasar, Uncategorized

Panjar Maju (Forward Bias)

Besarnya komponen arus difusi sangat sensitif terhadap besarnya potensial penghalang Vo . Pembawa muatan mayoritas yang memiliki energi lebih besar dari o eV dapat melewati potensial penghalang. Jika keseimbangan potensial terganggu oleh berkurangnya ketinggian potensial penghalang menjadi Vo −V , probabilitas pembawa muatan mayoritas mempunyai cukup energi untuk melewati sambungan akan meningkat dengan drastis. Sebagai akibat turunnya potensial penghalang, terjadi aliran arus lubang dari material tipe-p ke tipe-n, demikian sebaliknya untuk elektron

panjar maju

Gambar A Diode p-n berpanjar maju (forward bias): a) Rangkaian dasar dan b) Potensial penghalang mengalami penurunan.

 

Dengan kata lain menurunnya potensial penghalang memberi kesempatan pada pembawa muatan untuk mengalir dari daerah mayoritas ke daerah minoritas. Jika potensial penghalang diturunkan dengan pemasangan panjar maju eksternal V seperti diperlihatkan pada gambar A arus If akan mengalir.

Panjar Mundur (Reverse Bias)

Jika potensial penghalang dinaikkan menjadi Vo +V dengan memasang panjar mundur sebesar V (lihat gambar B), maka probabilitas pembawa muatan mayoritas memiliki cukup energi untuk melewati potensial penghalang akan turun secara drastis. Jumlah pembawa muatan mayoritas yang melewati sambungan praktis turun ke nol dengan memasang panjar mundur sebesar sekitar sepersepuluh volt

reverse bias

Gambar B Diode p-n berpanjar mundur (reverse bias) a) Rangkaian dasar dan b) Potensial penghalang meninggi.

Pada kondisi panjar mundur, terjadi aliran arus mundur (Ir) yang sangat kecil dari pembawa muatan minoritas. Pembawa muatan minoritas hasil generasi termal di dekat sambungan akan mengalami “drift” searah medan listrik. Arus mundur akan mencapai harga jenuh -Io pada harga panjar mundur yang rendah. Harga arus mundur dalam keadaan normal cukup rendah dan diukur dalam µA (untuk germanium) dan nA (untuk silikon). Secara ideal, arus mundur seharusnya berharga nol, sehingga harga -Io yang sangat rendah pada silikon merupakan faktor keunggulan silikon dibandingkan germanium. Besarnya Io berbanding lurus dengan laju generasi termal 2 i g = rn dimana harganya berubah secara eksponensial terhadap perubahan temperat

Author: 

No Responses

Comments are closed.