kelebihan utama IGBT

 Artikel, Elektro Dasar
loading...

Rangkaian ekivalen dari IGBT menunjukkan bahwa IGBT bisa dianggap sebagai piranti hybrid (campuran), serupa dengan konfigurasi transistor Darlington, dengan sebuah pengendali MOSFET, dan sebuah transistor PNP bipolar. Walaupun simbol sirkuit di atas menunjukkan bahwa piranti tersebut terkait dengan transistor NPN,

Rangkaian ekivalen IGBT

Karakteristik gate input dan persyaratan gate drive sangat mirip dengan MOSFET daya. Tegangan ambang batas (threshold) biasanya adalah 4V. Turn-on memerlukan tegangan 10-15 V dan membutuhkan waktu sekitar 1 μs. Turn-off membutuhkan waktu sekitar 2 μs dan bisa diperoleh dengan mengaplikasi 0 V ke terminal gate. Waktu turn-off bisa dipercepat, bila perlu, dengan menggunakan tegangan drive negatif. Alat-alat IGBT bisa dihasilkan dengan waktu switching yang lebih cepat dengan akibat penurunan tegangan forward yang meningkat.

IGBT sekarang tersedia dalam batasan mulai dari beberapa amps hingga 500 A pada 1500 V, yang cocok untuk AC VSDs tiga fase yang dibatasi daya hingga sekitar 500 kW pada tagangan 380V/415V/480V. Ini dapat digunakan pada frekuensi switching hingga 100 kHz. BJTs masa kini sebagian besar telah digantikan dengan IGBTs untuk AC VSDs.

Berikut ini adalah kelebihan utama IGBT:

  • Kapabilitas penanganan daya yang baik
  • Penurunan tegangan konduksi forward rendah 2-3 V, yang lebih tinggi dibanding untuk BJT tetapi lebih rendah dibanding untuk MOSFET dari rating serupa.
  • Tegangan ini meningkat seiring dengan temperatur yang membuat alat tersebut mudah dioperasikan secara paralel tanpa bahaya instabilitas termal.
  • Kapabilitas switching berkecepatan tinggi
  • Gate driver terkontrol tegangan yang relatif sederhana
  • Arus gate rendah.

Beberapa fitur penting lain IGBT adalah:

  • Tidak ada breakdown sekunder dengan IGBT, yang memberi area operasi aman yang baik dan kehilangan switching rendah.
  • Hanya snubbers kecil diperlukan
  • Kapasitansi inter-elektroda tidak sepenting dalam MOSFET, sehingga mengurangi feedback Miller.

Tidak ada dioda dalam IGBT, sebagaimana dengan MOSFET, dan sebuah dioda terpisah harus ditambahkan dalam anti-paralel bila konduksi terbalik diperlukan, misalnya, dalam inverter sumber tegangan.

Author: 

No Responses

Comments are closed.