Insulated gate bipolar transistor (IGBT)

 Artikel
loading...

IGBT adalah upaya untuk menyatukan fitur-fitur terbaik teknologi BJT dan teknologi MOSFET. Konstruksi IGBT serupa dengan MOSFET dengan satu lapisan tambahan untuk memberikan modulasi konduktivitas, yang merupakan alasan untuk tegangan berkonduksi rendah BJT.

Piranti IGBT mempunyai satu forward blocking yang baik tetapi mempunyai kemampuan reverse blocking yang sangat terbatas. Yang dapat beroperasi pada intensitas arus lebih tinggi dibanding BJT atau MOSFET dengan memungkinkan ukuran chip yang lebih kecil. 21 IGBT adalah piranti tiga terminal. Terminal-terminal daya dinamakan emitter (E) dan kolektor (C), dengan menggunakan terminologi BJT, sementara terminal  kontrol dinamakan gate (G), dengan menggunakan terminologi MOSFET.

Simbol IGBT

IGBT Ideal :

  • Forward conduction: lebih sedikit resistansi
  • Forward blocking: Lebih sedikit kerugian (tidak ada arus bocor)
  • Reverse blocking: lebih sedikit kerugian (tidak ada arus bocor)
  • Waktu switch on/off: Sesaat

Rangkaian ekivalen dari IGBT menunjukkan bahwa IGBT bisa dianggap sebagai piranti hybrid (campuran), serupa dengan konfigurasi transistor Darlington, dengan sebuah pengendali MOSFET, dan sebuah transistor PNP bipolar. Walaupun simbol sirkuit di atas menunjukkan bahwa piranti tersebut terkait dengan transistor NPN

Author: 

No Responses

Comments are closed.