Diode Terowongan (Tunnel Diode)

 Artikel, Elektro Dasar
loading...

Jika konsentrasi doping dinaikkan, maka lebar daerah deplesi akan menipis dan karenanya tinggi potensial penghalang akan menurun. Jika konsentrasi doping dinaikkan lagi sehingga ketebalan darah deplesi menjadi lebih rendah dari 10 nm, maka terjadi mekanisme konduksi listrik baru dan menghasilkan karakteristik piranti elektronika yang unik.

Seperti telah dijelaskan oleh Leo Esaki pada tahun 1958, bahwa untuk potensial penghalang yang sangat tipis menurut teori kuantum mekanik, elektron dapat menerobos melewati potensial pengahalang (melalui terowongan) tanpa harus memiliki cukup energi untuk mendaki potensial tersebut. Karakteristik I-V dari ‘Diode Esaki” diperlihatkan pada gambar. Terlihat bagaimana arus terowongan memberi kontribusi terhadap arus yang mengalir terutama pada tegangan maju relatif rendah.

Tunnel Diode

Arus terowongan akan naik dengan adanya kenaikan tegangan sampai efek dari arus maju mulai memberi kontribusi. Setelah puncak arus p I dicapai, arus terowongan menurun dengan adanya kenaikan tegangan arus injeksi mulai mendominasi. Arus puncak p I dan arus lembah V I merupakan titik operasi yang stabil. Karena efek terowongan merupakan penomena gelombang, transfer elektron terjadi dengan kecepatan cahaya dan pergantian antara p I dan V I terjadi dengan cepat sehingga cocok untuk aplikasi komputer. Lebih jauh antara p I dan V I terdapat daerah dimana hambatan r = dV / dI berharga negatif yang dapat digunakan untuk osilator dengan frekuensi sangat tinggi.

Author: 

No Responses

Comments are closed.